Personale docente

PAOLO MAGNONE

Professore associato

ING-INF/01

Indirizzo: STRADELLA SAN NICOLA, 3 - VICENZA

Telefono: 0444998752

E-mail: paolo.magnone@unipd.it

Orari di ricevimento

  • Il Venerdi' dalle 15:00 alle 17:00
    presso Studio docente
    Si consiglia di contattare anticipatamente il docente via e-mail

Insegnamenti

Curriculum

Paolo Magnone ha ottenuto nel 2009 il dottorato di ricerca in Ingegneria Elettronica presso l’Università degli studi Mediterranea di Reggio Calabria. Nel periodo 2006-2008 ha svolto un anno di ricerca presso il centro IMEC (Belgio) nell’ambito del progetto APROTHIN (Marie Curie Actions). È stato assegnista di ricerca all’Università della Calabria e poi all’Università di Bologna (centro ARCES) dal 2009 al 2014. Dal 2014 è Professore Associato di Elettronica (ING-INF/01) all’Università di Padova (dipartimento DTG).
È autore o coautore di 64 articoli su riviste internazionali, 52 conferenze internazionali, 1 capitolo di libro e 2 brevetti internazionali. In particolare, è stato autore su invito di 4 presentazioni a conferenza, 2 seminari e 1 articolo su rivista. Svolge attività di Editor per la rivista IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics. È stato insignito del grado di IEEE senior member nel 2020. A novembre 2020 ha conseguito l’abilitazione scientifica nazionale di professore ordinario in Elettronica (09/E3).
Ha partecipato con ruoli di responsabilità ai seguenti progetti.
- 2020-2023, responsabile di unità di ricerca per il Progetto PRIN Five2D “Five challenges towards electronics based on 2D materials”
- 2017-2021, responsabile di unità di ricerca per il Progetto internazionale ECSEL JU, grant agreement No. 737417, R3-powerUP “300mm Pilot Line for Smart Power and Power Discretes”
- 2017-2020, task leader nell’ambito del Progetto internazionale ECSEL JU, grant agreement No. 737434, CONNECT “Innovative smart components, modules and appliances for a truly connected, efficient and secure smart grid”
- 2012-2015, responsabile di deliverable nell’ambito del Progetto internazionale ENIAC JU/CALL 2011-1/296131 E2SG "Energy to smart grid".

Pubblicazioni

Pubblicazioni selezionate.

- T. Younis, P. Mattavelli, P. Magnone, I. Toigo, M. Corradin, “Enhanced Level-Shifted Modulation for a Three-Phase Five-level Modified Modular Multilevel Converter (MMC)”, IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, DOI: 10.1109/JESTPE.2021.3093486, 2021.
- G. Liu, T. Caldognetto, P. Mattavelli, P. Magnone, “Suppression of Second-Order Harmonic Current for Droop-Controlled Distributed Energy Resource Converters in DC Microgrids”, Transactions on Industrial Electronics, vol 67, no. 1, pp. 358 – 368, 2020.
- A. Khodamoradi, G. Liu, P. Mattavelli, T. Caldognetto, P. Magnone, “Analysis of an On-Line Stability Monitoring Approach for DC Microgrid Power Converters”, IEEE Transactions on Power Electronics, vol 34, no. 5, pp. 4794 – 4806, 2019.
- G. Liu, T. Caldognetto, P. Mattavelli, P. Magnone, “Power-Based Droop Control in DC Microgrids Enabling Seamless Disconnection from Upstream Grids”, IEEE Transactions on Power Electronics, vol 34, no. 3, pp. 2039 – 2051, 2019.
- A. N. Tallarico, S. Stoffels, N. Posthuma, P. Magnone, D. Marcon, S. Decoutere, E. Sangiorgi, C. Fiegna, “PBTI in GaN-HEMTs With p-Type Gate: Role of the Aluminum Content on ΔVTH and Underlying Degradation Mechanisms”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 65, no.1, pp. 38-44, 2018.
- A. N. Tallarico, S. Stoffels, P. Magnone, N. Posthuma, E. Sangiorgi, S. Decoutere, C. Fiegna, “Investigation of the p-GaN Gate Breakdown in Forward-biased GaN-based Power HEMTs”, IEEE Electron Device Letters, vol. 38, no. 1, pp. 99-102, 2017.
- P. Magnone, M. Debucquoy, D. Giaffreda, N. Posthuma, C. Fiegna, “Understanding the Influence of Busbars in Large-Area IBC Solar Cells by Distributed SPICE Simulations”, IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 5, no. 2, pp. 552-558, 2015.
- P. Magnone, F. Crupi, N. Wils, R. Jain, H. Tuinhout, P. Andricciola, G. Giusi, C. Fiegna, “Impact of Hot Carriers on nMOSFET variability in 45 nm and 65 nm CMOS Technologies”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 58, no. 8, pp. 2347-2353, 2011.
- P. Magnone, F. Crupi, A. Mercha, P. Andricciola, H. Tuinhout, R. J. P. Lander, “FinFET mismatch in subthreshold region: theory and experiments”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 57, no. 11, pp. 2848-2856, 2010
- (Invited) P. Magnone, F. Crupi, G. Giusi, C. Pace, E. Simoen, C. Claeys, L. Pantisano, D. Maji, V. Ramgopal Rao, P. Srinivasan “1/f noise in drain and gate current of MOSFETs with high-k gate stacks”, IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, vol. 9, no. 2, pp. 180-189, 2009.

Area di ricerca

I suoi interessi di ricerca presenti e passati includono le seguenti tematiche.
-Simulazioni elettro-termiche ed affidabilità in dispositivi di potenza a semiconduttore.
-Convertitori connessi in rete per sistemi di energia da fonte rinnovabile.
-Celle Fotovoltaiche.
- Affidabilità e rumore a bassa frequenza in dispositivi CMOS avanzati.
- Variabilità in dispositivi CMOS avanzati.